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onsemi Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC
Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.Bien que les IGBT offrent des performances thermiques supérieures par rapport aux solutions silicium dans ces applications à haute puissance, le EliteSiC d’onsemi permet des vitesses de commutation et une puissance plus élevées. Onsemi un portefeuille complet de MOSFET SiC allant de 650 V à 1700 V de tension de rupture, avec des RDSONde seulement 12 mΩ. Mais chaque MOSFET SIC nécessite le bon pilote de grille pour maximiser l’efficacité du système et minimiser les pertes de puissance totales. Ce tableau facile à utiliser ci-dessous associe le bon pilote de grille à chaque MOSFET SIC.
Applications
- Recharge de véhicules électriques
- Stockage d'énergie
- Systèmes d’alimentation sans interruption (ASI)
- Solaire
Veuillez cliquer ci-dessous pour agrandir les schémas fonctionnels.
Vidéos
Pilotes de grille présentés
onsemi Pilotes de grille double canal isolés 5 kVRMS NCP51561
Pilotes de grille à double canal isolés offrant respectivement une source de 4,5 A/9 A et un courant de crête de dissipation.
onsemi NCD5700 and NCD5701 IGBT Gate Drivers
High-current, high-performance IGBT Gate Drivers for high power applications.
onsemi NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver
Features a high-current output of +4/-6A at IGBT Miller Plateu Voltages.
onsemi Pilote de grille double canal isolé NCV51563
Prend en charge la source 4,5 A et le courant de crête du dissipateur 9 A pour les commutateurs d’alimentation à commutation rapide.
onsemi NCD57000 & NCD57001 High Current IGBT Drivers
Single channel IGBT Drivers with internal galvanic isolation, ideal for high-power applications.
onsemi NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver
Designed for high system efficiency and reliability in high power applications.
onsemi Commandes de grilles IGBT isolées NCD57001FDWR2G
Pilote IGBT monocanal avec isolation galvanique interne conçu pour une efficacité optimale du système.
onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers
Designed for high system efficiency and reliability in high power applications.
onsemi Pilote de grille IGBT NCV57001F
Pilote IGBT monocanal avec isolation galvanique interne conçu pour une efficacité optimale du système.
onsemi Pilotes de grille IGBT/MOSFET NCD57090 et NCV57090
Pilotes de grille IGBT/MOSFET monocanal à courant élevé avec une isolation galvanique interne de 5 kVRMS.
onsemi Pilotes de grilles isolés à IGBT et à canal double NCx575x0
Présente un isolement galvanique interne sous 5 kVefficaces de l'entrée à chaque sortie.f
onsemi Pilotes de grille IGBT/MOSFET NCx57091
Pilotes monocanal à courant fort avec isolation galvanique interne de 5 kVRMS.
onsemi Commandes de grilles NCD57100
Pilotes IGBT monocanal à courant élevé dotés d’une isolation galvanique interne.
onsemi Pilote de grille à canal double isolé NCP51560
Offre une capacité de courant de sortie de dissipation de crête 4,5 A et source de crête de 9 A
onsemi Commandes de grilles NCP51563
Pilotes isolés conçus pour une commutation rapide pour piloter les MOSFET de puissance et les commutateurs d’alimentation SIC MOSFET.
onsemi Pilote de grille double canal isolé NCV51561
Dispose d'une source de 4,5 A et d'un courant de crête de dissipation de 9 A avec des délais de propagation courts et assortis.
MOSFET EliteSiC proposés
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V
Assurent des performances de commutation plus optimales et une meilleure fiabilité que les diodes en silicium.
onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 900 V
Fournit des performances de commutation supérieures et une meilleure fiabilité par rapport au silicium.
onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V
Assurent des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium.
onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs
1200V, 80mΩ, high-speed switching, AEC-Q101 automotive qualified, and come in TO247-3L package.
onsemi MOSFET NTBG028N170M1 au carbure de silicium (SIC) 1700 V
Optimisé pour les applications à commutation rapide.
onsemi MOSFET NTBG060N065SC1 de 44 mΩ au carbure de silicium
Logé dans un boîtier D2PAK-7L et conçu pour être rapide et robuste
onsemi NVBG020N120SC1 N-Channel Silicon Carbide MOSFETs
Use a technology that provides superior switching performance and higher reliability.
onsemi MOSFET SiC 1 200 V NVBG080N120SC1
Se caractérise par une haute efficacité, par une haute fréquence opérationnelle, par une densité de puissance accrue et par une EMI réduite.
onsemi MOSFET NVBG160N120SC1 160 mΩ au SiC
Offre unDSS de 1 200 V, une RDS(on) maximale de 160 mΩ, un ID maximum de 19,5 A et est homologué AEC-Q101.
onsemi NTBL045N065SC1 MOSFET de 33 mΩ au carbure de silicium
Logé dans un boîtier TOLL NTBL045N065SC1, il est conçu pour être rapide et robuste.
onsemi MOSFET au carbure de silicium 19 mohm NTH4L075N065SC1
Logé dans un boîtier TO-247-4L et conçu pour être rapide et robuste.
onsemi MOSFET EliteSiC 1 700 V NTH4L028N170M1
Fournit des performances fiables et un haut rendement pour les applications énergétiques et d'entraînement industriel.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L060N065SC1
Présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures.
onsemi MOSFET au carbure de silicium 57 mohm NTH4L075N065SC1
Logé dans un boîtier TO-247-4L et conçu pour être rapide et robuste.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL025N065SC1
Présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL060N065SC1
Présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures.
onsemi MOSFET SiC à canal N NTHL080N120SC1A
Offre des performances de commutation supérieures, une haute fiabilité et une faible résistance à l'état passant.
onsemi MOSFET au carbure de silicium NTHL015N065SC1
Logés dans un boîtier TO-247-3L et conçus pour être rapides et robustes.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L015N065SC1
Fournissent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple.
onsemi MOSFET en carbure de silicium (SiC) NVBG030N120M3S
MOSFET EliteSiC planaire M3S 1 200 V à qualification AEC-Q101, optimisé pour des applications de commutations rapides.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG070N120M3S
MOSFET EliteSiC planaire M3S de 1 200 V conçu pour des applications à commutation rapide
Solutions connexes
onsemi Charge rapide CC des véhicules électriques
Répond aux besoins croissants en infrastructures de recharge efficaces sur le marché en pleine croissance des véhicules électriques.
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