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NVBG080N120SC1

Name: onsemi NVBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG080N120SC1
Price: 9.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVBG080N120SC1

N° de fab. :

NVBG080N120SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Fiche technique:

NVBG080N120SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,75 €	9,75 €
	6,77 €	67,70 €
	5,72 €	572,00 €
	5,71 €	2.855,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	5,34 €	4.272,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	179 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	NVBG080N120SC1
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

NVBG080N120SC1 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1 d'onsemi disposent d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1 d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

MOSFET SiC 1 200 V NVBG080N120SC1

Le MOSFET onsemi NVBG080N120SC1 1 200 V au SiC offre des performances supérieures de commutation et une fiabilité supérieure à celle du silicium. Ce MOSFET présente une basse résistance à l'état passant et une taille compacte de puce, ce qui garantit de basses capacité et charge de grille. Le MOSFET NVBG080N120SC1 se caractérise par une haute efficacité, par une haute fréquence opérationnelle, par une densité accrue de puissance, par des interférences électromagnétiques (EMI) réduites et par une taille réduite de système. Les applications typiques comprennent des chargeurs automobiles embarqués et des convertisseurs CC/CC pour les véhicules électriques et hybrides.

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V

Les MOSFET 1 200 V EliteSiC (carbure de silicium) onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Ces MOSFET présentent une faible résistance à l'état passant qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les MOSFET EliteSiC 1 200 V offrent des avantages au système et comprennent une haute efficacité, une fréquence d'exploitation rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Ces MOSFET disposent d'une tension de blocage, d'une commutation à haute vitesse, d'une faible capacité et fonctionnent sur une plage de température de -55°C à 175°C. Les MOSFET SiC 1 200 V sont homologués AEC-Q101 pour l'automobile et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux onduleurs élévateurs, stations de chargement, onduleurs CC-CC, convertisseurs CC-CC, chargeurs embarqués (OBC), contrôles de moteur, alimentations industrielles et alimentations de serveurs.