MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V

Les MOSFET 1 200 V EliteSiC (carbure de silicium)  onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Ces MOSFET présentent une faible résistance à l'état passant qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les MOSFET EliteSiC 1 200 V offrent des avantages au système et comprennent une haute efficacité, une fréquence d'exploitation rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Ces MOSFET disposent d'une tension de blocage, d'une commutation à haute vitesse, d'une faible capacité et fonctionnent sur une plage de température de -55°C à 175°C. Les MOSFET SiC 1 200 V sont homologués AEC-Q101 pour l'automobile et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux onduleurs élévateurs, stations de chargement, onduleurs CC-CC, convertisseurs CC-CC, chargeurs embarqués (OBC), contrôles de moteur, alimentations industrielles et alimentations de serveurs.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Fiche technique
947En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 20
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V
Fiche technique
893En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Fiche technique
1.387En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 30

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Fiche technique
2.423En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Fiche technique
1.930En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Fiche technique
1.853En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Fiche technique
670En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Fiche technique
1.930En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Fiche technique
1.185En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 40

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Fiche technique
1.182En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Fiche technique
205En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Fiche technique
282En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
Fiche technique
224En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
Fiche technique
181En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MW 1200V
Fiche technique
2.163En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V
Fiche technique
310En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Fiche technique
456En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Fiche technique
187En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Fiche technique
146En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Fiche technique
767En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
Fiche technique
84En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Fiche technique
403En stock
80013/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 270
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Fiche technique
183En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Fiche technique
53En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 53 Semaines
Min. : 450
Mult. : 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC