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NVBG160N120SC1

Name: onsemi NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG160N120SC1
Price: 10.27 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVBG160N120SC1

N° de fab. :

NVBG160N120SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

Fiche technique:

NVBG160N120SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	10,27 €	10,27 €
	6,98 €	69,80 €
	6,27 €	627,00 €
	6,04 €	3.020,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	5,85 €	4.680,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	19.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	224 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	33.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.4 ns
Transconductance directe - min.:	5.5 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	11 ns
Série:	NVBG160N120SC1
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NVBG160N120SC1 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET NVBG160N120SC1 160 mΩ au SiC

Le MOSFET au SiC NVBG160N120SC1 160 mΩ onsemi offre des performances supérieures de commutation et une fiabilité supérieure à celle du silicium. Ce MOSFET présente une tension drain-source (VDSS) de 1 200 V et un courant de drain maximum de 19,5 A (ID) Le MOSFET NVBG160N120SC1 dispose d'une faible résistance à l'état passant et d'une taille de puce compacte qui garantit une faible capacité et une faible charge de grille. Ce MOSFET offre haute efficacité, une fréquence opérationnelle supérieure, une densité accrue de puissance, des interférences électromagnétiques (EMI) réduites et des dimensions moindres. Le MOSFET NVBG160N120SC1 onsemi est qualifié pour des applications automobiles comme des chargeurs embarqués automobiles et des convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques (EV)/ vehicles hybrides (HEVs), selon les normes AEC-Q101.

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Les MOSFET EliteSiC M1 d'onsemi disposent d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1 d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

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MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V

Les MOSFET 1 200 V EliteSiC (carbure de silicium) onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Ces MOSFET présentent une faible résistance à l'état passant qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les MOSFET EliteSiC 1 200 V offrent des avantages au système et comprennent une haute efficacité, une fréquence d'exploitation rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Ces MOSFET disposent d'une tension de blocage, d'une commutation à haute vitesse, d'une faible capacité et fonctionnent sur une plage de température de -55°C à 175°C. Les MOSFET SiC 1 200 V sont homologués AEC-Q101 pour l'automobile et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux onduleurs élévateurs, stations de chargement, onduleurs CC-CC, convertisseurs CC-CC, chargeurs embarqués (OBC), contrôles de moteur, alimentations industrielles et alimentations de serveurs.