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NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 29.61 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBG028N170M1

N° de fab. :

NTBG028N170M1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Fiche technique:

NTBG028N170M1 Fiche technique

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	29,61 €	29,61 €
	25,97 €	259,70 €
	25,95 €	2.595,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	71 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	222 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	428 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	18 ns
Série:	NTBG028N170M1
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	121 ns
Délai d'activation standard:	47 ns

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Fiche technique

NTBG028N170M1 Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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