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NTH4L060N065SC1

Name: onsemi NTH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N065SC1
Price: 7.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L060N065SC1

N° de fab. :

NTH4L060N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Fiche technique:

NTH4L060N065SC1 Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	33 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	74 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	88 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	NTH4L060N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NTH4L060N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L060N065SC1

Le MOSFET onsemi NTH4L060N065SC1 au carbure de silicium (SiC) présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures. Le MOSFET a une basse résistance à l'état passant (ON) et sa taille compacte de puce garantit de basses capacité et charge de grille. Les avantages du système comprennent donc une efficacité optimale, une fréquence accrue de fonctionnement, une densité accrue de puissance, une réduction des EMI et une réduction de taille de système.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V

Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.