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NTH4L025N065SC1

Name: onsemi NTH4L025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L025N065SC1
Price: 16.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L025N065SC1

N° de fab. :

NTH4L025N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

Fiche technique:

NTH4L025N065SC1 Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	16,25 €	16,25 €
	12,11 €	121,10 €
	11,89 €	1.189,00 €
	11,64 €	5.238,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	99 A
Rds On - Résistance drain-source:	28.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	164 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	348 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	19 ns
Série:	NTH4L025N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	17 ns

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Fiche technique

NTH4L025N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium 19 mohm NTH4L075N065SC1

Le MOSFET onsemi NTH4L025N065SC1 de 19 mΩ au carbure de silicium est logé dans un boîtier TO-247-4L et conçu pour être rapide et robuste. Les dispositifs onsemi NTH4L025N065SC1 présentent une intensité de champ de rupture diélectrique 10 fois plus élevée et une vitesse de saturation électronique 2 fois plus élevée. Les MOSFET présentent également une bande interdite d'énergie 3x supérieure et une conductivité thermique 3x supérieure. Tous les présentent une qualification AEC-Q101 et des options conformes aux normes PPAP, spécialement conçues et qualifiées pour des applications automobiles et industrielles.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V

Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.