ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération
Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant avec amélioration de la robustesse contre les courts-circuits
- Minimise la perte de commutation en réduisant considérablement la capacité parasite
- Prend en charge une tension grille-source de 15 V, améliorant la liberté de conception des applications
- Vitesse de commutation élevée
- Récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Facile à piloter
- Technologie au carbure de silicium (SiC)
- Polarité du transistor à canal N
- Monocanal
- Montage traversant
- Mode d'amélioration
- Température de fonctionnement maximale +175 °C
- Options qualifées AEC-Q101 disponibles
- Sans plomb, conforme aux normes RoHS et REACH
Applications
- Automobile
- Alimentations à découpage
- Onduleurs solaires
- Convertisseurs CC/CC
- Chauffage par induction
- Commandes de moteurs
Caractéristiques techniques
- De 3 à 7 broches
- Plage de tension grille-source de -4 V à +21 V, seuil de 4,8 V
- Plage de charge de grille de 63 nC à 170 nC
- Plage de courant de drain continu de 26 A à 105 A
- Résistance de source sur drain de 13 mΩ à 62 mΩ
- Tension de rupture drain-source 750 V ou 1,2 kV
- Temps de montée de 11 ns à 57 ns
- Temps de descente de 9,6 ns à 21 ns
- Temps de retard typique
- Plage d'allumage de 4,4 ns à 20 ns
- Plage d'arrêt de 22 ns à 83 ns
- Plage de dissipation d'énergie de 93 W à 312 W
- Boîtiers disponibles
- TO-247-4L
- TO-247N-3
- TO-263-7L
Vidéos
Performances
Notes d’application
MOSFET présentés
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DR
Il dispose d'une tension nominale drain-source de 750 V et d'un courant de drain continu de 105 A (à +25 °C).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7
MOSFET à faible résistance à l'état passant de 750 V et 13 mΩ conçu pour une commutation rapide.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N SiC SCT4018KR
Il se caractérise par une tension nominale drain-source de 1 200 V et un courant de drain continu de 81 A (à 25 °C).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7
Simple à piloter et facile à mettre en parallèle, offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4036KW7
MOSFET 1 200 V, 36 mΩ dans un boîtier TO-263-7L qui est simple à piloter et facile à mettre en parallèle.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SCT4045DWAHR AEC-Q101 à canal N en carbure de silicium (SiC)
Il présente une tension nominale drain-source de 750 V et un courant de drain continu de 31 A (à +25°C).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR
Il dispose d'une tension nominale drain-source élevée de 1 200 V et d'un courant de drain continu de 24 A (à +25 °C).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N
L’absence de courant de queue pendant la commutation se traduit par un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC AEC-Q101
Peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, réduisant la taille des composants externes.