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SCT4018KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KW7TL
Price: 25.41 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4018KW7TL

N° de fab. :

SCT4018KW7TL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4018KW7TL Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	25,41 €	25,41 €
	22,58 €	225,80 €
	19,75 €	1.975,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	18,03 €	18.030,00 €
2.000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	75 A
Rds On - Résistance drain-source:	23.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	267 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	22 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	21 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4018KW7

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Fiche technique

SCT4018KW7TL Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7

Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7 de ROHM Semiconductor offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Le SCT4018KW7 est facile à piloter et à installer en parallèle. Le composant dispose également d’un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS.Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7 de ROHM Semiconductor est adapté aux onduleurs solaires, au chauffage par induction, aux alimentations en mode commutation, aux convertisseurs CC-CC et aux entraînements de moteurs.