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SCT4036KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4036KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036KW7TL
Price: 13.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4036KW7TL

N° de fab. :

SCT4036KW7TL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4036KW7TL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	13,82 €	13,82 €
	11,09 €	110,90 €
	9,72 €	972,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	9,43 €	9.430,00 €
2.000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	47 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	91 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Conformité:	Done
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.6 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	8.1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4036KW7

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4036KW7

Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4036KW7 de ROHM Semiconductor est un MOSFET 1 200 V et 36 mΩ dans un boîtier TO-263-7L. Le SCT4036KW7 est simple à piloter et facile à mettre en parallèle avec une récupération inverse rapide. Le SCT4036KW7 est idéal pour les convertisseurs solaires, le chauffage à induction et les entraînements de moteurs.