ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de ROHM Semiconductor disposent d’un courant de queue sans courant pendant la commutation, ce qui permet un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite. Leur faible résistance à l’état passant et leur taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Ces MOSFET de puissance SiC de ROHM présentent une augmentation minimale de la résistance en marche et fournissent une plus grande miniaturisation du boîtier. Cela permet d’économiser plus d’énergie que les composants Si standard, dans lesquels la résistance à l'état passant peut plus que doubler avec une température accrue.

Les attributs SiC MOSFET sont particulièrement précieux dans les équipements d’imagerie médicale. Ses capacités de commutation presque instantanées permettent aux fabricants de construire des commutateurs haute tension pour les machines à rayons X qui permettent aux techniciens de mieux contrôler l’exposition aux radiations pendant les tests tout en produisant des résultats de qualité. Dans la fabrication, le MOSFET SCT2080KE de ROHM améliore le rendement des générateurs d’impulsions en fournissant un temps de montée élevé qui augmente la productivité.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
    • 650V à 120mΩ
    • 1 200 V - 80 mΩ à 450 mΩ
    • 1 700 V - 750 mΩ à 1 150 mΩ
  • Vitesse de commutation élevée
  • Perte de puissance considérablement réduite
  • Facile à mettre en parallèle
  • Facile à piloter
  • Placage sans plomb
  • Récupération inverse rapide
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Sources d’alimentation en mode commutation
  • Convertisseurs solaires
  • Onduleurs (ASI)
  • Chargeurs EV
  • Équipement de chauffage par Induction
  • Entraînements à moteur
  • Les trains
  • Convertisseurs d’énergie éolienne

Vidéos

Publié le: 2014-07-18 | Mis à jour le: 2025-10-09