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SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 9.76 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4062KWAHRTL

N° de fab. :

SCT4062KWAHRTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4062KWAHRTL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,76 €	9,76 €
	6,92 €	69,20 €
	5,88 €	588,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	4,99 €	4.990,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7LA
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	81 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	93 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	6.5 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	11 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	4.4 ns

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Fiche technique

SCT4062KWAHRTL Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR

Le MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N AEC-Q101 SCT4062KWAHR de ROHM Semiconductor est un dispositif haute performance, de qualité automobile, destiné à une utilisation dans des environnements automobiles exigeants. Le SCT4062KWAHR de ROHM dispose d'une tension nominale drain-source élevée de 1 200 V et un courant de drain continu de 24 A (à +25 °C), ce qui rend le MOSFET bien adapté aux systèmes de conversion d'énergie haute tension et haute efficacité. Avec une résistance à l'état passant standard de 62 mΩ, le SCT4062KWAHR minimise les pertes de conduction et permet une commutation rapide, ce qui contribue à réduire les pertes de puissance et à améliorer les performances thermiques. Hébergé dans un format TO-263-7LA, le dispositif offre une excellente dissipation de la chaleur et une intégration aisée dans des modules d'alimentation compacts. Le SCT4062KWAHR est idéal pour les applications de véhicules électriques (VE) telles que les convertisseurs de traction, les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC, où la fiabilité, l'efficacité et la stabilité thermique sont essentielles.

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les alimentations électriques automobiles et à découpage. Les MOSFET de puissance SiC peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, diminuant les volumes de condensateurs, de réacteurs et d'autres composants requis. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 offrent d'excellentes réductions de taille et de poids au sein de divers systèmes d'entraînement, tels que les onduleurs et les convertisseurs CC-CC dans les véhicules.