MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les alimentations électriques automobiles et à découpage. Les MOSFET de puissance SiC peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, diminuant les volumes de condensateurs, de réacteurs et d'autres composants requis. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 offrent d'excellentes réductions de taille et de poids au sein de divers systèmes d'entraînement, tels que les onduleurs et les convertisseurs CC-CC dans les véhicules.

Résultats: 34
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
366En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Fiche technique
1.822En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Fiche technique
750En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
460En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
506En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
345En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Fiche technique
701En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
350En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
199En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
1.619En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
428En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Fiche technique
810En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Fiche technique
115En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Fiche technique
669En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Fiche technique
301En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Fiche technique
1.201En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
Fiche technique
787En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Fiche technique
499En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
366En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Fiche technique
311En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Fiche technique
547En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Fiche technique
1.996En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Fiche technique
740En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Fiche technique
1.488En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement