Nouveauté Modules MOSFET

Les modules MOSFET à joint torique i1R TDK-Lambda sont des dispositifs d'alimentation à haut rendement et à faibles pertes conçus pour remplacer les diodes traditionnelles. Ces modules MOSFET utilisent une circuiterie MOSFET avancée pour minimiser les transitoires de courant inverse et les pertes de conduction, atteignant jusqu'à 99,5 % d'efficacité. Les modules MOSFET à joint torique i1R répondent aux défis critiques en matière de gestion thermique et de densité de puissance, en particulier dans les systèmes à courant élevé. Ces modules MOSFET présentent un facteur de forme compact et blindé qui prend en charge jusqu'à 80 A en courant de sortie avec un minimum de réduction permettant une performance fiable dans des environnements à espace limité. Les modules MOSFET i1R présentent une large plage de tension d'entrée, un arrêt rapide pendant les conditions de défaut et un boîtier aux standards de l'industrie. Les applications typiques incluent la robotique, la diffusion, les équipements alimentés par batterie, l’industrie et les communications.
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TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1RDispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.05.02.2026 -
Infineon Technologies Modules MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ TrenchTechnologie de contact PressFIT et capteur de température NTC intégré.09.10.2025 -
STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LAPropose une topologie PFC triphasée à 4 fils avec NTC intégré pour l’OBC dans les véhicules électriques et hybrides.26.09.2025 -
STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2P45M12W2-1LAPropose une topologie à six packs avec NTC pour l’étape convertisseur CC/CC de l’OBC dans les véhicules électriques.26.09.2025 -
SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 VWith an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.11.08.2025 -
onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.23.05.2025 -
Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-PackLes modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.14.05.2025 -
Vishay Modules d'alimentation MOSFET SiC MAACPAK PressFitConçus pour augmenter l'efficacité et la fiabilité pour les applications de fréquence moyenne à élevée.17.03.2025 -
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power ModulesRobust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.20.02.2025 -
IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.28.11.2024 -
onsemi Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1Contiennent des MOSFET de 8 mΩ, de 10 mΩ, de 15 mΩ et de 30 mΩ/ 1 200 V M3S basés sur une topologie en demi-pont.28.08.2024 -
onsemi Modules au carbure de silicium (SiC) NVVR26A120M1WSxFait partie des modules d'alimentation hautement intégré SiC VE-Trac™ B2 pour les applications de convertisseur de traction EV/HEV.14.08.2024 -
Infineon Technologies Modules demi-pont MOSFET CoolSiC™ XHP ™ 2Conçus pour des applications allant de 1,7 kV à 3,3 kV afin de maximiser les capacités de transport de courant.09.08.2024 -
Wolfspeed Modules demi-pont SiC DMOffers high-current capability in a very low mass and low volume form factor.25.06.2024 -
Infineon Technologies Modules HybridPACK™ Drive G2Modules d'alimentation compacts conçus pour les tractions de véhicules électriques et hybrides.18.06.2024 -
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMXIdéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.21.03.2024 -
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMXFaibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.21.03.2024 -
onsemi Module MOSFET NXV08H350XT1Module MOSFET de puissance biphasé automobile 80 V, double demi-pont, conception compacte.04.03.2024 -
onsemi Module MOSFET NXV08H300DT1Module MOSFET de puissance automobile biphasé 80 V, double demi-pont, conception compacte.04.03.2024 -
onsemi Modules de puissance EliteSiC NVXR17S90M2SPxAméliorez le rendement, la densité de puissance et les performances globales.08.02.2024 -
onsemi Modules de puissance EliteSiC NVXR22S90M2SPxOffrent des performances, un rendement et une densité de puissance améliorés dans un boîtier compact et compatible.08.02.2024 -
Infineon Technologies Modules CoolSiC™ M1H 1200 VOffre des opportunités pour les concepteurs de systèmes de chargement pour véhicules électriques et autres convertisseurs.05.12.2023 -
onsemi Modules demi-pont EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxGComprend deux commutateurs MOSFET SIC de 1 200 V 3 mΩ ou 4 mΩ et une thermistance avec HPS DBC ou Si3N4 DBC.23.11.2023 -
onsemi Module au carbure de silicium (SiC) NXH008T120M3F2PTHGModule de convertisseur à point neutre limité (TNPC) de type T basé sur les MOSFET SiC de raboteur M3S 1200 V.09.11.2023 -
STMicroelectronics Module d'alimlentation M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32Conçu pour l’étage de convertisseur CC-CC des véhicules électriques et hybrides.19.10.2023 -
