Nouveauté Transistors

Les modules MOSFET à joint torique i1R TDK-Lambda sont des dispositifs d'alimentation à haut rendement et à faibles pertes conçus pour remplacer les diodes traditionnelles. Ces modules MOSFET utilisent une circuiterie MOSFET avancée pour minimiser les transitoires de courant inverse et les pertes de conduction, atteignant jusqu'à 99,5 % d'efficacité. Les modules MOSFET à joint torique i1R répondent aux défis critiques en matière de gestion thermique et de densité de puissance, en particulier dans les systèmes à courant élevé. Ces modules MOSFET présentent un facteur de forme compact et blindé qui prend en charge jusqu'à 80 A en courant de sortie avec un minimum de réduction permettant une performance fiable dans des environnements à espace limité. Les modules MOSFET i1R présentent une large plage de tension d'entrée, un arrêt rapide pendant les conditions de défaut et un boîtier aux standards de l'industrie. Les applications typiques incluent la robotique, la diffusion, les équipements alimentés par batterie, l’industrie et les communications.
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TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1RDispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.05.02.2026 -
IXYS MOSFET de puissance X4-ClassIls offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.02.02.2026 -
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014ATransistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.20.01.2026 -
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011ATransistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.19.01.2026 -
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004ALe transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.19.01.2026 -
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08XCe dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).26.12.2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 VDéfinit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.23.12.2025 -
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NLConçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.19.12.2025 -
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).19.12.2025 -
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILBLe transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.04.12.2025 -
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiCPrésentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.04.12.2025 -
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.01.12.2025 -
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.25.11.2025 -
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.25.11.2025 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETsDesigned for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.24.11.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NLIl présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.20.11.2025 -
Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 VThese MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.20.11.2025 -
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NLAffichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.20.11.2025 -
onsemi IGBT AFGB30T65RQDNOffre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.19.11.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NLMOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.19.11.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NLMOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.19.11.2025 -
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTOConstruit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.07.11.2025 -
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal TransistorThe device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.31.10.2025 -
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal TransistorThe device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.31.10.2025 -
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode EOffre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.31.10.2025 -
