Nouveauté Semiconducteurs discrets

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile d'Infineon Technologies sont des dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement dans des architectures de véhicules modernes. Construits selon la technologie OptiMOS™ 7, ces MOSFET 100 V offrent une très faible résistance à l'état passant, un comportement de commutation rapide et une capacité d'avalanche élevée, ce qui permet des pertes réduites de conduction et de commutation tout en maintenant une robustesse et des performances thermiques élevées. Ces fonctionnalités prennent en charge des conceptions à haute densité de puissance dans des boîtiers compacts et bien adaptés à des environnements automobile exigeants, qui nécessitent fiabilité, rendement et fonctionnement cohérent.
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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobileDispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.27.05.2026 -
Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal NConçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.18.05.2026 -
Bourns Diode TVS montée en surface CDSOT23-SM712-QFournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.12.05.2026 -
Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .06.05.2026 -
Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FLSpécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.04.05.2026 -
Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FLPuissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.04.05.2026 -
Littelfuse Diodes TVS AK-FLDiodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.04.05.2026 -
Littelfuse SCR haute température SJx08xTension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.24.04.2026 -
Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHxOffre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.24.04.2026 -
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete SolutionsFeatures components ideal for energy, industrial, and medical applications.24.04.2026 -
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky DiodeDesigned for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.16.04.2026 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08XOptimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.14.04.2026 -
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiCLes boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.10.04.2026 -
Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-MRedresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.07.04.2026 -
Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07xRedresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.07.04.2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07.04.2026 -
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1EMOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.06.04.2026 -
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS DiodesAEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.02.04.2026 -
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor DiodesHigh-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.02.04.2026 -
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 VCe dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.02.04.2026 -
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal PIdéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.31.03.2026 -
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AGUn MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.31.03.2026 -
Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DESAvec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.27.03.2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 VOffrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.27.03.2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal NPerformances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.27.03.2026 -
