Infineon Technologies MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1200 V
Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 200 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d’utilisation du composant. Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC 1 200 V s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d’application les plus faibles et la plus haute fiabilité de fonctionnement. Adaptés aux opérations à haute température et en environnement difficile, ces composants permettent le déploiement simplifié et économique du plus haut rendement du système.
Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 200 V sont hébergés dans des boîtiers compacts TO-247-3 et TO-247-4. Le boîtier TO-247-4 contient une connexion supplémentaire à la source (connexion Kelvin) utilisée comme potentiel de référence pour la tension de commande de grille, éliminant ainsi l’effet des chutes de tension sur l’inductance de la source. Il en résulte des pertes de commutation encore plus faibles que la version TO-247-3, en particulier à des courants et des fréquences de commutation plus élevés.
Caractéristiques
- Très faibles pertes de commutation
- Caractéristique à l’état passant sans seuil
- Large plage de tension grille-source
- Tension de seuil de grille de référence VGS(th) = 4,5 V
- Tension de grille d’arrêt 0 V
- Rapport dV/dt entièrement contrôlable
- Diode de corps de commutation robuste, prête pour un redressement synchrone
- Pertes de commutation d'arrêt indépendantes de la température
- Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
- Meilleures pertes de conduction et de commutation de sa catégorie
- Pilote compatible IGBT (+15 V)
- Tension de seuil Vth > 4 V
- Résistance aux courts-circuits
- Rendement le plus élevé pour un effort de refroidissement réduit
- Durée de vie plus longue et fiabilité plus élevée
- Fonctionnement à des fréquences plus élevées
- Réduction du coût du système
- Densité de puissance accrue
- Complexité du système réduite
- Conception et implémentation aisées
Applications
- Onduleurs photovoltaïques (PV)
- Stockage d'énergie et recharge de batterie
- Alimentation sans interruption (ASI)
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Entraînements industriels
- Applications médicales
Outils de développement
Infineon Technologies Carte de convertisseur REF-DAB11KIZSICSYS
Étage CC-CC avec une large plage de sortie utilisant un réseau résonnant avec 2 inducteurs et 2 condensateurs (CLLC).
Infineon Technologies Cartes REF_SiC_D2Pak_MC et REF_SiC_D2Pak_BP
Permet aux utilisateurs d'évaluer le MOSFET 1 200 V CoolSiC™ en boîtier D2Pak avec des pilotes de grille isolés sans noyau.
Infineon Technologies Carte de référence REF-DR3KIMBGSICMA
Contient deux cartes de circuit imprimé, dont un circuit de pilotage et un onduleur triphasé pour les applications d'entraînement de moteur.
Infineon Technologies Plateforme d’évaluation MOSFET CoolSiC™ 1 200 V
Fait la démonstration des MOSFET à tranchée SiC CoolSiC ™1 200 V et 45 mΩet des CI pilotes de grille EiceDriver ™.
Infineon Technologies Carte à fonction d'alimentation bipolaire REF-1EDC60H12AHDPV2
La carte à fonction d'alimentation bipolaire est la deuxième carte de pilotage de la plateforme d'évaluation universelle.
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Ils sont dotés d'une haute densité de courant et d'une configuration à basse inductance avec une technologie de contact PressFIT et NTC.
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