Infineon Technologies Cartes REF_SiC_D2Pak_MC et REF_SiC_D2Pak_BP
Les cartes de référence REF_SiC_D2Pak_MC et REF_SiC_D2Pak_BP Infineon Technologies permettent aux utilisateurs d'évaluer le MOSFET 1 200 V CoolSiC™ en D2Pak avec des pilotes de grille isolés sans noyau. La carte REF_SiC_D2Pak_MC utilise le composant 1EDC20I12MH avec la fonction de pince Miller. La carte REF_SiC_D2Pak_BP utilise le composant 1EDI20H12AH avec une alimentation bipolaire et une sortie source/dissipation séparée.
Les cartes de référence REF_SiC_D2Pak_MC et REF_SiC_D2Pak_BP Infineon sont conçues comme des cartes filles pour insérer le MOSFET CoolSiC 1 200 V dans la plate-forme d'évaluation TO-247 3/4 broches. Les utilisateurs peuvent effectuer un test à double impulsion pour évaluer les performances du MOSFET CoolSiC et les pilotes de grille isolés sans noyau en installant la carte fille de référence sur la plate-forme d'évaluation.
Caractéristiques
- Les deux cartes filles utilisent un substrat métallique isolé (IMS), qui assure une excellente conduction thermique
- Tous les composants sont des dispositifs montés en surface (CMS) en raison du type de carte IMS
- La ligne de fuite est d'au moins 4 mm, ce qui assure un fonctionnement sécurisé à une tension de bus de 800 VCC
Produits associés
Infineon Technologies 1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs
The crucial link between control ICs, powerful MOSFET, and GaN switching devices.
Infineon Technologies MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1200 V
Optimisé pour fournir les pertes les plus faibles dans les applications et la plus haute fiabilité en fonctionnement.
Schéma de principe
Agencement des composants
Publié le: 2021-04-14
| Mis à jour le: 2022-03-11