MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1200 V

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 200 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d’utilisation du composant.  Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC 1 200 V s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d’application les plus faibles et la plus haute fiabilité de fonctionnement.  Adaptés aux opérations à haute température et en environnement difficile, ces composants permettent le déploiement simplifié et économique du plus haut rendement du système.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Fiche technique
651En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Fiche technique
959En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Fiche technique
603En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
663En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
1.301En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
1.007En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
416En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
176En stock
24026/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
294En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
1.180En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
1.004En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
840En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
164En stock
720Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
255En stock
24013/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
422En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
68En stock
24016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
173En stock
96007/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
159En stock
24012/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
80En stock
48005/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Fiche technique
421En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
201En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
2.878Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
44616/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel