MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1200 V

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 200 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d’utilisation du composant.  Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC 1 200 V s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d’application les plus faibles et la plus haute fiabilité de fonctionnement.  Adaptés aux opérations à haute température et en environnement difficile, ces composants permettent le déploiement simplifié et économique du plus haut rendement du système.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Fiche technique
641En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Fiche technique
827En stock
24001/04/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Fiche technique
603En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
429En stock
48011/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
1.285En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
974En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
2.813En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
738En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
399En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
140En stock
240Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
48028/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
20En stock
1.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
388En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
429En stock
48023/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
78En stock
96027/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
199En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
83En stock
1.920Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Fiche technique
400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
38En stock
72023/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 5

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
11En stock
720Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
707Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
1.440Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
3.120Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel