MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Les MOSFET CoolSiC™ 2 000 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à tranchée dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC. Ces MOSFET sont conçus pour fournir une densité de puissance accrue sans sacrifier la fiabilité du système, même dans des conditions exigeantes de haute tension et de fréquence de commutation. Les faibles pertes de puissance de la technologie CoolSiC™ offrent une fiabilité accrue grâce à la technologie d’interconnexion .XT et permettent un rendement maximal dans diverses applications. Les MOSFET 2 000 V disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,5 V et offrent de très faibles pertes de commutation. Les applications typiques incluent les systèmes de stockage d’énergie, le chargement des véhicules électriques, le convertisseur de chaîne et l’optimiseur d’énergie solaire.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Fiche technique
960En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Fiche technique
749En stock
96005/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Fiche technique
283En stock
480Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Fiche technique
95En stock
1.440Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Fiche technique
4.35318/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC