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Infineon Technologies MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité. 

Les MOSFET CoolSiC M1 sont proposés dans un boîtier TO-247 compact à 3/4 broches et sont sans Pb, sans halogène et conformes à la directive RoHS.

Caractéristiques

  • Faibles capacités
  • Comportement de commutation optimisé aux courants plus élevés
  • Diode de corps rapide et robuste à commutation avec faible charge de récupération inverse (Qrr)
  • Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
  • Excellent comportement thermique
  • Capacité d'avalanche améliorée
  • Fonctionne avec les pilotes standard
  • Performances, fiabilité et facilité d'utilisation élevées
  • Assure un rendement élevé du système
  • Réduit le coût et la complexité du système
  • Permet de réduire la taille du système
  • Fonctionne en topologies à commutation dure continue
  • Adapté aux températures élevées et aux conditions difficiles
  • Permet des topologies bidirectionnelles

Applications

  • Serveurs
  • Télécommunications
  • SMPS
  • Stockage d'énergie et fabrication de batterie
  • Systèmes d'énergie solaire/onduleurs photovoltaïques
  • Onduleurs
  • Infrastructure de charge de véhicules électriques
  • Entraînements de moteurs
  • Amplificateurs de classe D

Ressources

Vidéos

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Optimisé pour fournir les pertes les plus faibles dans les applications et la plus haute fiabilité en fonctionnement.   

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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie
IMBG65R057M1HXTMA1 IMBG65R057M1HXTMA1 Fiche technique 39 A 74 mOhms 28 nC 161 W
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Fiche technique 6 A 346 mOhms 22 nC 65 W
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Fiche technique 17 A 217 mOhms 27 nC 85 W
IMBG65R022M1HXTMA1 IMBG65R022M1HXTMA1 Fiche technique 64 A 30 mOhms 67 nC 300 W
IMBG65R107M1HXTMA1 IMBG65R107M1HXTMA1 Fiche technique 24 A 141 mOhms 35 nC 110 W
IMBG65R083M1HXTMA1 IMBG65R083M1HXTMA1 Fiche technique 28 A 111 mOhms 44 nC 126 W
IMBG65R030M1HXTMA1 IMBG65R030M1HXTMA1 Fiche technique 63 A 42 mOhms 49 nC 234 W
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Fiche technique TO-247-4 20 A 142 mOhms 15 nC 75 W
IMBG65R039M1HXTMA1 IMBG65R039M1HXTMA1 Fiche technique 54 A 51 mOhms 41 nC 211 W
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Fiche technique 33 A 94 mOhms 22 nC 140 W

Guide de sélection des composants de puissance et de détection Infineon

Publié le: 2020-01-22 | Mis à jour le: 2024-09-23