Infineon Technologies MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1 200 V
Les MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1 200 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d’utilisation du composant. Les MOSFET à tranchée SIC CoolSiC 1 200 V s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour fournir à la fois les pertes les plus faibles dans l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. Adaptés aux opérations à haute température et en environnement difficile, ces composants permettent le déploiement simplifié et économique de la plus haute efficacité du système.
Les MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1 200 V sont proposés en boîtiers compacts TO-247-3 et TO-247-4. Le boîtier TO-247-4 contient une connexion supplémentaire à la source (connexion Kelvin) qui est utilisée comme potentiel de référence pour la tension de modulation de grille, éliminant ainsi l’effet des chutes de tension sur l’inductance de la source. Il en résulte des pertes de commutation encore plus faibles que pour la version TO-247-3, en particulier à des courants plus élevés et à des fréquences de commutation plus élevées.
Caractéristiques
- Très faibles pertes de commutation
- Caractéristique à l’état passant sans seuil
- Large plage de tension grille-source
- Tension de seuil de grille de référence, VGS(th) = 4,5 V
- Tension de grille d’arrêt 0 V
- Rapport dV/dt entièrement contrôlable
- Diode de corps de commutation robuste, prête pour un redressement synchrone
- Pertes de commutation d'arrêt indépendantes de la température
- Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
- Meilleures pertes de commutation et de conduction de sa catégorie
- Pilote compatible IGBT (+15 V)
- Tension de seuil, Vth > 4 V
- Résistance aux courts-circuits
- Efficacité maximale pour un effort de refroidissement réduit
- Durée de vie plus longue et fiabilité plus élevée
- Fonctionnement à fréquence plus élevée
- Réduction du coût du système
- Densité de puissance accrue
- Complexité du système réduite
- Conception et implémentation aisées
Applications
- Convertisseurs photovoltaïques (PV)
- Stockage d’énergie et charge de batterie
- Alimentation non interruptible (UPS)
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Moteurs industriels
- Applications médicales
Outils de développement
Infineon Technologies Carte de convertisseur REF-DAB11KIZSICSYS
Étage CC-CC avec une large plage de sortie utilisant un réseau résonnant avec 2 inducteurs et 2 condensateurs (CLLC).
Infineon Technologies Cartes REF_SiC_D2Pak_MC et REF_SiC_D2Pak_BP
Permet aux utilisateurs d'évaluer le MOSFET 1 200 V CoolSiC™ en boîtier D2Pak avec des pilotes de grille isolés sans noyau.
Infineon Technologies Carte de référence REF-DR3KIMBGSICMA
Contient deux cartes de circuit imprimé, dont un circuit de pilotage et un onduleur triphasé pour les applications d'entraînement de moteur.
Infineon Technologies Plate-forme d'évaluation à MOSFET 1 200 V CoolSiC™
Démontre les MOSFET à tranchée SiC 1 200 V CoolSiC™ 45 mΩ et les CI pilotes de grille EiceDriver™.
Infineon Technologies Carte d'évaluation de commande de moteur EVAL-M5-IMZ120R-SIC
Carte d'évaluation pour les applications de commande de moteur basée sur des MOSFET CoolSiC™ 1 200 V.
Infineon Technologies Carte d'évaluation EiceDRIVER™ 1EDI30xxAS
Plateforme de démonstration pour les commandes de grilles isolées EiceDRIVER™ 1EDI302xAS et 1EDI303xAS.
Infineon Technologies Carte à fonction d'alimentation bipolaire REF-1EDC60H12AHDPV2
La carte à fonction d'alimentation bipolaire est la deuxième carte de pilotage de la plateforme d'évaluation universelle.
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Ils sont dotés d'une haute densité de courant et d'une configuration à basse inductance avec une technologie de contact PressFIT et NTC.
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