MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 16 mOhms 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
1.750En stock
3.00002/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 10 mOhms 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
3.092En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8SW N-Channel 1 Channel 60 V 373 A 2 mOhms 20 V 3.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 270 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Fiche technique
630En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 100V
Fiche technique
807En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 60V
Fiche technique
2.980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si
Vishay Semiconductors SIZF4412DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Fiche technique
2.643En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 200V
Fiche technique
2.789En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
Fiche technique
2.971En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-251-3
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 60V
Fiche technique
2.993En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Fiche technique
827En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Fiche technique
550En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Fiche technique
500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 55 mOhms 20 V 4.7 V 51 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 200V
Fiche technique
881En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
Fiche technique
995En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
Fiche technique
1.920En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
651En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Fiche technique
2.090En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
425En stock
50008/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 80 mOhms 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement
onsemi MOSFET PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 6.3 mOhms 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Fiche technique
2.030En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
332En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 115 mOhms 20 V 5 V 83 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement
Nexperia MOSFET PXP062-60QL/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
627En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 62 mOhms 20 V 2.7 V 19 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V S08FL
Fiche technique
1.251En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape