MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
Fiche technique
27.097En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 40.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Fiche technique
2.009En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
417En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia MOSFET NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
Fiche technique
5.180En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 44 A 9.5 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN S08FL
Fiche technique
1.184En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
Fiche technique
763En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Fiche technique
209En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Fiche technique
288En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Fiche technique
208En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
349En stock
48016/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 52 mOhms 20 V 5 V 141 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
onsemi MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTREN SY
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 72 A 5.5 mOhms 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SI3425DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2.940En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors SIRA18DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2.940En stock
6.00009/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Vishay Semiconductors SI2319DDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2.214En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors SI2393DS-T1-BE3
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2.518En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors SI2392BDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 2.867En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors SI1425DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2.946En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Vishay Semiconductors SIHG050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V 425En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Vishay Semiconductors SIRA14DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2.410En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Vishay Semiconductors SI2399BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2.582En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors SISS4304DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2.836En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Vishay Semiconductors SIB5215DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2.950En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Vishay Semiconductors SIRA12DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2.698En stock
Min. : 1
Mult. : 1
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Fiche technique
2.077En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube