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NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C442NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5C442NLAFT1GYE
Price: 1.39 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FS5C442NLAFT1GYE

N° de fab. :

NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V S08FL

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	130 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.3 ns
Série:	NVMFS5C442NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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NVMFS5C442NLAFT1G-YE Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.