Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N
Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N d'Infineon Technologies sont des dispositifs de canal N, de niveau normal, avec une résistance thermique supérieure. La série de MOSFET de puissance OptiMOS 7 80 V propose une diode de corps à récupération douce et est évaluée à 175 °C. Les MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 7 de 80 V sont disponibles dans un boîtier PG‑TDSON‑8 et sont optimisés pour les applications d’entraînements à moteur et de redressement synchrone.
Caractéristiques
- Canal N, niveau normal
- Optimisé pour les applications d’entraînements à moteur et de redressement synchrone
- Diode de corps à récupération douce
- 100 % testé en avalanche
- Résistance thermique supérieure
- Classe 175 °C
- Placage au plomb sans Pb conforme à la directive RoHS
- Sans halogène conformément à la norme IEC61249-2-21
- Classé MSL 1 selon JSTD020
- Boîtier PG‑TDSON‑8
Applications
- Entraînements à moteur
- Redressement synchrone
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Publié le: 2026-02-23
| Mis à jour le: 2026-03-04