STMicroelectronics IGBTs

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Fiche technique
59708/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
290En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Fiche technique
42En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
493En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Fiche technique
209En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
Fiche technique
1.31603/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 6 A 25 W - 55 C + 150 C STGF3NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
Fiche technique
1.00013/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Fiche technique
1.91305/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
1.09827/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Fiche technique
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Fiche technique
59101/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Fiche technique
39603/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

Si STGB10M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 1.000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 230 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65FB Tube