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STGWA25H120DF2

Name: STMicroelectronics STGWA25H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA25H120DF2
Price: 3.65 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWA25H120DF2

N° de fab. :

STGWA25H120DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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Fiche technique:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,65 €	3,65 €
	2,75 €	27,50 €
	2,04 €	204,00 €
	2,00 €	1.200,00 €
	1,90 €	2.280,00 €
	1,87 €	5.610,00 €
	1,86 €	10.044,00 €
10.200	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGWA25H120DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,100 g

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Fiche technique

STGWA25H120DF2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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