STGW30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGW30H60DFB
STGW30H60DFB

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Modèle de ECAO:
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Stock:
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Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,57 € 2,57 €
1,38 € 13,80 €
0,929 € 92,90 €
0,858 € 514,80 €
0,817 € 980,40 €
0,815 € 2.445,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30H60DFB
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 30 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 38 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99