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STGP4M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP4M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP4M65DF2
Price: 1.3 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGP4M65DF2

N° de fab. :

STGP4M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A

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Fiche technique:

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Sur commande:: 1.913

05/10/2026 attendu
Délai usine :: 15

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,30 €	1,30 €
	0,613 €	6,13 €
	0,546 €	54,60 €
	0,428 €	214,00 €
	0,39 €	390,00 €
	0,35 €	700,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	8 A
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGP4M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	8 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	1,800 g