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STGFW40H65FB

Name: STMicroelectronics STGFW40H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGFW40H65FB
Price: 3.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGFW40H65FB

N° de fab. :

STGFW40H65FB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3PF
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	62.5 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGFW40H65FB
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	300
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	7 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

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