MOSVII MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Toshiba MOSFET N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029
Fiche technique
86En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 410 W Enhancement MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
Fiche technique
240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2.5 A 2.51 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm
Fiche technique
300En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 4 A 1.7 Ohms 35 W MOSVII
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Fiche technique
107En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 18 A 139 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
Fiche technique
283En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
Fiche technique
103En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 450 V 11 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
Fiche technique
72En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47
Fiche technique
136En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12.5 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
Fiche technique
1.708En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
Fiche technique
61En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
Fiche technique
73En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 19 A 250 mOhms 50 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
Fiche technique
262En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 3.26 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
Fiche technique
51En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
Fiche technique
145En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2.25 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 11 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
Fiche technique
17En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
Fiche technique
325En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
Fiche technique
56En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 11 nC + 150 C 80 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ
Fiche technique
1.354En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
Fiche technique
250En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5 A 1.7 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
Fiche technique
164En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET TO220 800V 5A N-CH MOSFET
Fiche technique
148En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Fiche technique
156En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 4.5 A 3.1 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
Fiche technique
853En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 11 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
Fiche technique
149En stock
20006/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 1.11 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
Fiche technique
5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube