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TK5A80E,S4X

Name: Toshiba TK5A80E,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK5A80ES4X
Price: 1.94 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK5A80ES4X

N° de fab. :

TK5A80E,S4X

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET TO220 800V 5A N-CH MOSFET

Fiche technique:

TK5A80E,S4X Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	1,94 €	1,94 €
	0,946 €	9,46 €
	0,869 €	86,90 €
	0,634 €	317,00 €
	0,576 €	576,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220SIS-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.4 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSVII
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	TK5A80E
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	55 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.