Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

TK4A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK4A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4A50DSTA4QM
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TK4A50DSTA4QM

N° de fab. :

TK4A50D(STA4,Q,M)

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

Fiche technique:

TK4A50D(STA4,Q,M) Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Toshiba TK4A50D(STA4,Q,M)

En stock: 325

Stock:: 325 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,09 €	1,09 €
	0,507 €	5,07 €
	0,469 €	46,90 €
	0,333 €	166,50 €
	0,297 €	297,00 €
	0,295 €	737,50 €
	0,267 €	1.335,00 €
	0,264 €	2.640,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 Ohms
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Nom commercial:	MOSVII
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	TK4A50D
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

TK4A50D(STA4,Q,M) Fiche technique (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.