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TK12A60D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK12A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK12A60DSTA4QM
Price: 3.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK12A60DSTA4QM

N° de fab. :

TK12A60D(STA4,Q,M)

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

Fiche technique:

TK12A60D(STA4,Q,M) Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	3,07 €	3,07 €
	1,57 €	15,70 €
	1,32 €	132,00 €
	1,14 €	570,00 €
	1,09 €	1.090,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	550 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	38 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	45 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSVII
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	TK12A60D
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

TK12A60D(STA4,Q,M) Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.