EPC FET GaN

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Mode canal Nom commercial
EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1.750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 700En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 5.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 8.892En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14.898En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14.584En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2.455En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 990En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4.654En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12.500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 6.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1.860En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 12.470En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4.900En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 12.422En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 12.443En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 9.110En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.440En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 20.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.227En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 0.5 A 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 7.500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 5.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12.478En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 12.500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2.480En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET