EPC2307

Name: EPC EPC2307
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2307
Price: 4.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

65-EPC2307

N° de fab. :

EPC2307

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	10.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Marque:	EPC
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	30,300 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
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EPC2307

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