EPC2308

EPC
65-EPC2308
EPC2308

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 6.000

Stock:
6.000 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,49 € 4,49 €
2,98 € 29,80 €
2,13 € 213,00 €
2,05 € 1.025,00 €
1,94 € 1.940,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,73 € 5.190,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
63 A
6 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
11.7 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 30,300 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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