EPC2057

EPC
65-EPC2057
EPC2057

Fab. :

Description :
FET GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,95 € 1,95 €
1,26 € 12,60 €
0,851 € 85,10 €
0,68 € 340,00 €
0,648 € 648,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,565 € 1.412,50 €
0,559 € 2.795,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-4
N-Channel
1 Channel
50 V
9.6 A
8.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
3 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 2,500 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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