ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RS3
Les MOSFET de puissance à canal P RS3 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier à montage en surface. ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Petit boîtier pour montage en surface (SOP8)
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
Applications
- Tension
Gamme
Applications sur le marché
Résistance à l'état passant améliorée
Ressources supplémentaires
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Disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT6).
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Disposent d’une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT8).
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Disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8).
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Vds - Tension de rupture drain-source | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3G160ATTB1 |  |
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | 40 V | 16 A | 6.2 mOhms |
| RS3L110ATTB1 | |
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -11.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | 60 V | 11 A | 12.8 mOhms |