MOSFET de puissance à canal P RF4

Les MOSFET de puissance à canal P RF4 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (HUML2020L8). ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Fiche technique
6.00016/04/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8S P-Channel 1 Channel 40 V 6 A 40 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Fiche technique
5.500Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8S P-Channel 1 Channel 60 V 4 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel