MOSFET de puissance à canal P QH8J

Les MOSFET de puissance Pch QH8J de ROHM Semiconductor disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé (TSMT8) haute puissance.  Le ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Fiche technique
2.732En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 100 V 2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.7 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Fiche technique
4.074En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 40 V 5 A 41 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Fiche technique
15.90011/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A 91 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape