MOSFET de puissance à canal P SH8J

Les MOSFET de puissance à canal P SH8J de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8). ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
Fiche technique
9.144En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 60 V 7.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
Fiche technique
1.896En stock
2.50005/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8.5 A 15.3 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape