ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
Les MOSFET de puissance à canal N automobiles RD3x de ROHM Semiconductor sont des dispositifs de commutation et des redresseurs à haute performance conçus pour être utilisés dans une large gamme d'applications de puissance et de signal. Les composants RD3x homologués AEC-Q101 de ROHM présentent une faible tension directe, un temps de récupération rapide et une capacité de courant de surtension élevée, ce qui rend les MOSFET idéaux pour une conversion d'énergie et une protection efficaces dans les systèmes électroniques Avec des options adaptées à l'automobile, à l'industrie et à l'électronique grand public, la famille RD3 prend en charge des applications telles que les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur, l'éclairage LED et les dispositifs alimentés par batterie. Un boîtier compact à montage en surface (TO-252-3) et un faible courant de fuite contribuent à des conceptions économes en espace et en énergie, tandis qu’une haute fiabilité assure une performance stable dans des conditions exigeantes.
Caractéristiques
- Qualification AEC-Q101
- Tension directe faible
- Temps de récupération rapide
- Capacité de courant de surtension élevée
- Optimisé pour un faible courant de fuite
- Haute fiabilité
- Technologie Si
- Monocanal
- Mode d'amélioration
- Boîtier monté en surface TO-252-3
- Conforme RoHS
Applications
- Circuits d'alimentation électrique
- Convertisseurs CC-CC
- Dispositifs alimentés par batterie
- Pilotes de moteur
- Électronique automobile
- Systèmes d'éclairage LED
- Équipement de communications
- Dispositifs de mise en réseau
- Commutation à usage général
- Commutation de charge
- Protection contre la tension inverse
- Électronique portable
- Modules de l'Internet des Objets (IoT)
Caractéristiques techniques
- Plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V
- Plage de courant de drain continu de 5 A à 80 A
- Plage de résistance drain-source de 2,3 mΩ à 300 mΩ
- Tension grille-source de ± 20 V
- Plage de tension de seuil de grille de 2,5 V à 5 V
- Plage de charge de grille de 8 nC à 82 nC
- Plage de dissipation d'énergie de 15 W à 142 W
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150°C/+175°C
MOSFET associés
ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs
Provide automotive support, wide drive type, and support from a small signal to high power.
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs
Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N
L’absence de courant de queue pendant la commutation se traduit par un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.
ROHM Semiconductor MOSFET RD3S100AAFRA de puissance 10 A à canal N 190 V
Dispose d’une faible résistance à l’état passant et d’une commutation rapide pour les applications d’alimentation à commutation.
Solutions connexes
ROHM Semiconductor Automotive Solutions
Deliver optimized solutions for the automotive industry along with evolving technologies.