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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

Les MOSFET de puissance 40 A et 80 A automobile de ROHM Semiconductor sont des dispositifs à canal N et à canal P.  Ces MOSFET homologués AEC-Q101 se caractérisent par une faible résistance à l'état passant, un courant drain pulsés de ±80 A/±160 A et une dissipation d'énergie jusqu'à 142 W. Les MOSFET de puissance de 40 A et 80 A fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont testés à 100 % en avalanche. Ces MOSFET de puissance sont parfaits pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

Caractéristiques

  • Faible résistance en état de fonctionnement
  • Courant de drain en impulsions ±80 A/±160 A
  • Dissipation d'énergie jusqu'à 142 W
  • Plage de température de la plage de -55 °C à 175 °C
  • 100 % testé en avalanche
  • Placage sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Système d'aide à la conduite (ADAS)
  • Automobile
  • Éclairage

Fiches techniques

MOSFET associés

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

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Numéro de pièce Fiche technique Temps de descente Transconductance directe - min. Id - Courant continu de fuite Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Rds On - Résistance drain-source Polarité du transistor Délai de désactivation type Délai d'activation standard Vds - Tension de rupture drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL Fiche technique 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL Fiche technique 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB Fiche technique 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Fiche technique 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL Fiche technique 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
Publié le: 2025-05-19 | Mis à jour le: 2025-10-09