ROHM Semiconductor MOSFET RD3S100AAFRA de puissance 10 A à canal N 190 V
Le MOSFET de puissance RD3S100AAFRA 10 A 190 V à canal N de ROHM Semiconductor dispose d’une faible résistance en marche et d’une vitesse de commutation rapide. Le MOSFET RD3S100AAFRA peut être facilement configuré pour une utilisation en parallèle. Le MOSFET de puissance RD3S100AAFRA de ROHM est conçu pour les applications d'alimentation à découpage.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Vitesse de commutation élevée
- L'utilisation en parallèle est facile
- Conforme à la directive RoHS
- Homologué AEC-Q101
Caractéristiques techniques
- 190 V VDSS
- 182 mΩ RDS (on) (max.)
- ID ±10 A
- 85 W PD
Application standard
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Publié le: 2020-09-15
| Mis à jour le: 2025-10-09