onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L014N120M3P
Le MOSFET onsemi NTH4L014N120M3P en carbure de silicium (SiC) est optimisé pour des applications de puissance. Le MOSFET onsemi présente une technologie planaire qui fonctionne de manière fiable avec les pilotes de grilles sous tensions négatives et qui supprime les pics de grille. Cette famille a des performances optimales lorsqu'elle est pilotée par une commande de grille de 18 V, mais fonctionne également sans problème avec une commande de grille de 15 V.
Caractéristiques
- Typ. RDS(on) = 14 mΩ sous VGS = 18 V
- Faibles pertes de commutation (std EON 1 308 J pour 74 A, 800 V)
- 100 % testé en avalanche
- Ces dispositifs sont conformes à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- Stations de recharge de véhicules électriques
- ASI (alimentations sans interruption)
- Systèmes de stockage d'énergie
- SMPS (alimentations à découpage)
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Publié le: 2022-11-10
| Mis à jour le: 2024-07-22