MOSFET EliteSiC M3P

Les MOSFET EliteSiC M3P  d'onsemi sont une solution pour les applications à haute tension avec une tension nominale maximale de 1 200 V. Les MOSFET M3P  d'onsemi sont disponibles en boîtier D2PAK7, TO-247-3LD ou TO-247-4LD, ce qui leur confère une polyvalence pour diverses exigences de conception. Avec une tension grille-source maximale de +22 V/-10 V, les MOSFET EliteSiC se distinguent par leurs capacités parasites réduites, notamment en ce qui concerne les Coss, Ciss et Crss.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L
Fiche technique
967En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L
Fiche technique
81En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 329 nC - 55 C + 175 C 686 W Enhancement EliteSiC