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NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 24.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L014N120M3P

N° de fab. :

NTH4L014N120M3P

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

Fiche technique:

NTH4L014N120M3P Fiche technique

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	24,79 €	24,79 €
	18,32 €	183,20 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	127 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.63 V
Qg - Charge de grille:	329 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	686 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	29 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	40 ns
Série:	NTH4L014N120M3P
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	68 ns
Délai d'activation standard:	26 ns

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Fiche technique

NTH4L014N120M3P Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M3P

Les MOSFET EliteSiC M3P d'onsemi sont une solution pour les applications à haute tension avec une tension nominale maximale de 1 200 V. Les MOSFET M3P d'onsemi sont disponibles en boîtier D2PAK7, TO-247-3LD ou TO-247-4LD, ce qui leur confère une polyvalence pour diverses exigences de conception. Avec une tension grille-source maximale de +22 V/-10 V, les MOSFET EliteSiC se distinguent par leurs capacités parasites réduites, notamment en ce qui concerne les Coss, Ciss et Crss.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L014N120M3P

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Solutions de stockage d'énergie

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