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STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.

Caractéristiques

  • Technologie MDmesh K6
  • Charge de grille ultra-faible
  • Testé à 100 % en mode avalanche
  • Protection par diode Zener

Caractéristiques techniques

  • Tension de rupture drain-source minimale de 800 V
  • Tension grille-source ±30 V
  • Pente de tension de récupération de diode de crête de 5 V/ns
  • Pente de courant de récupération de diode de crête de 100 A/µs
  • Robustesse dv/dt MOSFET de 120 V/ns
  • Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 ºC à +150 ºC

Applications

  • Ordinateur portable et AIO
  • Convertisseurs Flyback
  • Adaptateurs pour tablettes
  • Éclairage à LED

Circuits de test

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

MOSFET associés

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MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

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Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

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MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

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La technologie basée sur MDmesh K6 offre une charge de grille très basse et un excellent RDS(on) x zone.

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STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 16 A STD80N240K6

Présente un excellent RDS(on) x zone et un faible Qg, ce qui permet d’atteindre des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes.

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Offre une solution d'alimentation à canal N et très haute tension utilisant la technologie MDmesh K6 ultime.

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Numéro de pièce Fiche technique Style de montage Package/Boîte Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement Temps de descente Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard
STD80N340K6 STD80N340K6 Fiche technique SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 12 A 340 mOhms 17.8 nC 92 W Enhancement Reel 11 ns 4.9 ns 34 ns 13 ns
STF80N240K6 STF80N240K6 Fiche technique Through Hole TO-220FP-3 16 A 220 mOhms 25.9 nC 27 W Enhancement Tube 12 ns 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
STF80N1K1K6 STF80N1K1K6 Fiche technique Through Hole TO-220FP-3 5 A 1.1 Ohms 5.7 nC 21 W Enhancement Tube 14 ns 4.3 ns 22 ns 7.4 ns
STF80N600K6 STF80N600K6 Fiche technique Through Hole TO-220FP-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 23 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STD80N240K6 STD80N240K6 Fiche technique SMD/SMT 16 A 220 Ohms 25.9 nC 105 W Enhancement Reel
STD80N450K6 STD80N450K6 Fiche technique SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 10 A 450 mOhms 17.3 nC 83 W Enhancement Reel 12.7 ns 4 ns 28.8 ns 10.6 ns
STP80N1K1K6 STP80N1K1K6 Fiche technique Tube
STP80N600K6 STP80N600K6 Fiche technique Through Hole TO-220-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 86 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STP80N450K6 STP80N450K6 Fiche technique Through Hole TO-220-3 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STP80N240K6 STP80N240K6 Fiche technique Through Hole TO-220-3 10 A 220 mOhms 25.9 nC 140 W Enhancement Tube 12 s 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
Publié le: 2024-06-25 | Mis à jour le: 2026-01-21